更新時(shí)間：2024-09-05
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廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
生產(chǎn)地址：德國(guó)
通過將光電二極管與FEMTO GHz 放大器技術(shù)相結(jié)合，F(xiàn)EMTO 開發(fā)了全新的高性能光電探測(cè)器系列。 HSPR-X 和 HSA-XS 提供 2 GHz 帶寬上限。兩種配備快速 Si-PIN 或 InGaAs 光電二極管的型號(hào)分別覆蓋 320 至 1000 nm 和 900 至 1700 nm 的光譜范圍。由于放大器設(shè)計(jì)復(fù)雜，最小LEP僅為11 pW/√Hz。這樣可以在 GHz 速度下測(cè)量 µW 范圍內(nèi)的功率水平。
一、主要特點(diǎn)
Si-PIN 和 InGaAs-PIN 光電二極管;
波長(zhǎng)范圍320至1700 nm;
10 kHz 至 2 GHz 超寬帶寬;
最大轉(zhuǎn)換增益 4.75 x 103 V/W;
最小 NEP 11 pW/√Hz。
二、規(guī)格參數(shù)
| 型號(hào) | HSA-X-S-1G4-SI-FST HSA-X-S-1G4-SI-FC |
| 光譜范圍 | 320 - 1000 nm |
| 帶寬 (?3 dB) | 10kHz - 1.4GHz |
| 探測(cè)器類型 | ? 0.4 毫米 Si-PIN |
| 輸入類型 | 自由空間或光纖 |
| 最大轉(zhuǎn)換增益 | 2.55 x 10^3 V/W（@ 760 nm） |
| 上升/下降時(shí)間 (10% - 90%) | 250 ps |
| 跨阻 | 5×10^3 V/A |
| NEP (@ 1 Hz) | 32 pW/√Hz (@ 760 nm) |
| 輸出駐波比 SWR（隨電壓變化） | 2.5:1 |
| 最大輸出電壓@50Ω | 1.9 VPP |
| 輸出噪聲 | 3.6 mVRMS |
| 重量 | 210g |
| 工作溫度范 | 0/+60℃ |
| 儲(chǔ)存溫度范 | -40/+100℃ |
三、應(yīng)用
光譜學(xué);
快速脈沖測(cè)量;
光學(xué)發(fā)射系統(tǒng);
用于示波器和 A/D 轉(zhuǎn)換器的光學(xué)接口(O/E 轉(zhuǎn)換器)。
GHz超高速光電探測(cè)器HSA-XS-1G4-SI-FC/FST
GHz超高速光電探測(cè)器HSA-XS-1G4-SI-FC/FST
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